描述：JKZC-YDZK03N壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)是一款多用途的綜合測(cè)試系統(tǒng)，即可用于縱向壓電D33測(cè)試，豎向D15,橫向D31等性能測(cè)試，配置了高低溫冷熱臺(tái)，進(jìn)行變溫測(cè)試，配置顯微鏡進(jìn)行微觀觀測(cè)，也可以用于用于用于鐵電晶體、壓電陶瓷、壓電晶體、超聲波換能器等器件的阻抗分析與測(cè)試，是對(duì)壓電器件和設(shè)備進(jìn)行頻率掃描和阻抗測(cè)量分析的*解決方案，可以快捷方便地測(cè)試壓電器件的各項(xiàng)參數(shù)特性,正反諧振阻抗及壓電

JKZC-YDZK03AN壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)

關(guān)鍵詞：壓電系數(shù)，阻抗，顯微鏡，高低溫

    JKZC-YDZK03N壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)是一款多用途的綜合測(cè)試系統(tǒng)，即可用于縱向壓電D33測(cè)試，豎向D15,橫向D31等性能測(cè)試，配置了高低溫冷熱臺(tái)，進(jìn)行變溫測(cè)試，配置顯微鏡進(jìn)行微觀觀測(cè)，也可以用于用于用于鐵電晶體、壓電陶瓷、壓電晶體、超聲波換能器等器件的阻抗分析與測(cè)試，是對(duì)壓電器件和設(shè)備進(jìn)行頻率掃描和阻抗測(cè)量分析的*解決方案，可以快捷方便地測(cè)試壓電器件的各項(xiàng)參數(shù)特性,正反諧振阻抗及壓電材料的電容等相關(guān)系數(shù)，是研究壓電材料和阻抗分析的綜合設(shè)備，是科研的重要輔助設(shè)備。

一、產(chǎn)品應(yīng)用范圍：

1.壓電材料器件科學(xué)研究

2.壓電材料的用于評(píng)定壓電陶瓷片性能優(yōu)劣

3.壓電材料阻抗分析

4.其他介質(zhì)材料： 塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評(píng)估

磁性材料：鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估

半導(dǎo)體材料：半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性

液晶單元：介電常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性

5.  導(dǎo)體材料：半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性

半導(dǎo)體元件：LED驅(qū)動(dòng)集成電路寄生參數(shù)測(cè)試分析；變?nèi)荻O管的C-VDC特性； 晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析

二、主要技術(shù)參數(shù)：

頻率：10HZ-30MHZ

測(cè)試電平：AC: AC電壓:5mV - 2Vrms ,分辨率：1mV, DC：±40V，分辨率：1mV

測(cè)試參數(shù)：Cp/Cs、Lp/Ls、Rp/Rs、|Z|、|Y|、R、X、G、B、θ、D、Q、Vac、Iac、Rdc、Vdc、Idc

顯微鏡：630萬(wàn)像素，偏光觀察模式

薄膜平臺(tái)：30*30MM樣品臺(tái),探針連接

×1擋：10到2000pC/N，20 至4000pC/N，可以升級(jí)到10000PC/N.

×0.1擋： 1到200pC/N，2 至400pC/N。

可以配套PZT-JH10/4/8/12型壓電極化裝置使用

可以配套ZJ-D33-YP15壓電壓片機(jī)使用

誤差：×1擋：±2%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在100到4000pC/N；

計(jì)量標(biāo)定標(biāo)準(zhǔn)樣尺寸：18mm*0.8mm，老化時(shí)間：2-3年（評(píng)判壓電測(cè)試儀準(zhǔn)確性能的重要依據(jù)之一）

提供壓電薄膜標(biāo)準(zhǔn)片：20*20MM

電壓保護(hù)：放電保護(hù)功能 

±5%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在10到200pC/N；

×0.1擋：±2%±1個(gè)數(shù)字，(當(dāng)d33在10到200pC/N)

±5%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在10到20pC/N。

分辨率：   ×1擋：1 pC/N；×0.1擋：0.1 pC/N。

尺寸：施力裝置：Φ110×140mm；儀器本體：240×200×80mm。